Dolphin0606FDI उत्पादन हे CMOS वर आधारित एक निश्चित प्रकार आणि कमी आवाजाचे एक्स-रे फ्लॅट पॅनेल डिटेक्टर आहे.CMOS सेन्सर्स चिप फॅब्रिकेशनसाठी एकल क्रिस्टल सिलिकॉन प्रक्रिया वापरतात.पिक्सेल सेलमधील डायरेक्ट इंटिग्रल एम्प्लीफिकेशनमुळे कमी इलेक्ट्रॉनिक आवाज, उच्च सिग्नल-टू-आवाज गुणोत्तर आणि आकारहीन सिलिकॉनपेक्षा उच्च क्वांटम डिटेक्शन कार्यक्षमता (DQE) होते, म्हणून CMOS सेन्सर्स कमी-डोस इमेजिंग परिस्थितीसाठी विशेषतः योग्य आहेत.वरील वैशिष्ट्यांवर आधारित, Dolphin0606FDI डिटेक्टर औद्योगिक SMT, इलेक्ट्रॉनिक्स, लिथियम बॅटरी आणि चिप वायर बाँडिंग तपासणीमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाऊ शकते.
इलेक्ट्रॉनिक आवाज कमी आहे
उच्च सिग्नल-टू-आवाज गुणोत्तर
तंत्रज्ञान | |
सेन्सर | CMOS |
सिंटिलेटर | CSI |
सक्रिय क्षेत्र | 60 x 53.5 मिमी |
पिक्सेल मॅट्रिक्स | 1200 x 1056 |
पिक्सेल पिच | 50 μm |
AD रूपांतरण | 14 बिट |
इंटरफेस | |
संप्रेषण इंटरफेस | ऑप्टिकल फायबर |
एक्सपोजर नियंत्रण | पल्स सिंक इन (एज किंवा लेव्हल) / पल्स सिंक आउट (एज किंवा लेव्हल) |
कार्य मोड | सॉफ्टवेअर मोड / एचव्हीजी सिंक मोड / एफपीडी सिंक मोड |
फ्रेम गती | 51fps (1x1) |
ऑपरेटिंग सिस्टम | Windows7 / Windows10 OS 32 बिट किंवा 64 बिट |
तांत्रिक कामगिरी | |
ठराव | 10.0 lp/mm |
ऊर्जा श्रेणी | 40~160 KV |
लॅग | 0.01% @1ली फ्रेम |
डायनॅमिक श्रेणी | ≥ 73dB |
संवेदनशीलता | 100 lsb/uGy |
SNR | 48 dB @(20000lsb) |
MTF | 90% @(1 lp/mm) |
८२% @(२ एलपी/मिमी) | |
७४% @(३ एलपी/मिमी) | |
DQE (2uGy) | ६५% @(० एलपी/मिमी) |
48% @(1 lp/mm) | |
37% @(2 lp/mm) | |
यांत्रिक | |
परिमाण(H x W x D) | 171 x 171 x 37 मिमी |
वजन | 2.8 किग्रॅ |
सेन्सर संरक्षण साहित्य | कार्बन फायबर |
गृहनिर्माण साहित्य | अॅल्युमिनियम धातूंचे मिश्रण |
पर्यावरणविषयक | |
तापमान श्रेणी | 10~35°℃ (ऑपरेटिंग);-10~50℃(स्टोरेज) |
आर्द्रता | 30~70% RH(नॉन-कंडेन्सिंग) |
कंपन | IEC/EN 60721-3 वर्ग 2M3(10~150 Hz, 0.5 g) |
धक्का | IEC/EN 60721-3 वर्ग 2M3(11 ms,2 g) |
धूळ आणि पाणी प्रतिरोधक | IPX0 |
शक्ती | |
पुरवठा | 100~240 VAC |
वारंवारता | 50/60 Hz |
उपभोग | 6 प |
अर्ज | |
औद्योगिक | एसएमटी, इलेक्ट्रॉनिक्स, लिथियम बॅटरी चिप वायर बाँडिंग तपासणी |
यांत्रिक परिमाण | |