Dolphin0606FDI 生産は、CMOS ベースの固定型で低ノイズの X 線フラット パネル検出器です。CMOS センサーは、チップ製造に単結晶シリコン プロセスを使用します。ピクセル セル内の直接積分増幅は、アモルファス シリコンよりも電子ノイズが低く、信号対雑音比が高く、量子検出効率 (DQE) が高いため、CMOS センサーは低線量イメージング シナリオに特に適しています。上記の特性に基づいて、Dolphin0606FDI 検出器は、産業用 SMT、電子機器、リチウム電池、およびチップ ワイヤ ボンディング検査で広く使用できます。
電子ノイズが少ない
より高い信号対雑音比
| テクノロジー | |
| センサー | CMOS |
| シンチレーター | CSI |
| アクティブエリア | 60×53.5mm |
| ピクセル マトリックス | 1200×1056 |
| ピクセルピッチ | 50μm |
| AD変換 | 14ビット |
| インターフェース | |
| 通信インターフェース | 光ファイバ |
| 露出制御 | Pulse Sync In (エッジまたはレベル) / Pulse Sync Out (エッジまたはレベル) |
| 作業モード | ソフトウェアモード/HVG同期モード/FPD同期モード |
| フレーム速度 | 51fps (1x1) |
| オペレーティング·システム | Windows7 / Windows10 OS 32ビットまたは64ビット |
| 技術性能 | |
| 解決 | 10.0本/mm |
| エネルギー範囲 | 40~160KV |
| 遅れ | 0.01% @1 フレーム目 |
| ダイナミックレンジ | ≧73dB |
| 感度 | 100 lsb/uGy |
| SNR | 48dB @(20000lsb) |
| 機動部隊 | 90% @(1本/mm) |
| 82% @(2本/mm) | |
| 74% @(3本/mm) | |
| DQE (2uGy) | 65% @(0本/mm) |
| 48% @(1本/mm) | |
| 37% @(2本/mm) | |
| メカニカル | |
| 寸法（高さ×幅×奥行き） | 171×171×37mm |
| 重さ | 2.8キロ |
| センサー保護材 | カーボンファイバー |
| ハウジング材質 | アルミニウム合金 |
| 環境 | |
| 温度範囲 | 10~35°℃ (動作時);-10~50℃(保管時) |
| 湿度 | 30~70%RH(結露なきこと) |
| 振動 | IEC/EN 60721-3 クラス 2M3(10~150Hz、0.5g) |
| ショック | IEC/EN 60721-3 クラス 2M3(11ms、2g) |
| 防塵・防水 | IPX0 |
| 力 | |
| 供給 | AC100～240V |
| 周波数 | 50/60Hz |
| 消費 | 6W |
| 応用 | |
| 工業用 | SMT、エレクトロニクス、リチウム電池 チップワイヤボンディング検査 |
| 機械寸法 | |