Dolphin1412FDM ምርት ላይ የተመሰረተ ቋሚ አይነት እና ዝቅተኛ ድምጽ ኤክስሬይ ጠፍጣፋ ፓነል ማወቂያ ነው።CMOSCMOS ዳሳሾች ቺፕ ለማምረት ነጠላ ክሪስታል ሲሊከን ሂደትን ይጠቀማሉ።በፒክሰል ሴሎች ውስጥ ቀጥተኛ ውህደት ማጉላት ወደ ዝቅተኛ የኤሌክትሮኒክስ ድምጽ፣ ከፍተኛ የሲግናል-ወደ-ጫጫታ ጥምርታ እና ከፍ ያለ የኳንተም ማወቂያ ውጤታማነት (DQE) ከአሞርፊክ ሲሊኮን የበለጠ ይመራል፣ ስለዚህ የCMOS ዳሳሾች በተለይ ለዝቅተኛ-መጠን ኢሜጂንግ ሁኔታዎች ተስማሚ ናቸው።
• የኤሌክትሮኒክስ ድምጽ ዝቅተኛ ነው።
• ከፍተኛ የሲግናል-ወደ-ጫጫታ ጥምርታ
| ቴክኖሎጂ | |
| ዳሳሽ | CMOS |
| Scintillator | CSI |
| ንቁ አካባቢ | 120 x 140 ሚ.ሜ |
| ፒክስል ማትሪክስ | 2400 x 2802 |
| ፒክስል ፒች | 50 μm |
| AD ልወጣ | 14 ቢት |
| በይነገጽ | |
| የግንኙነት በይነገጽ | ኦፕቲካል ፋይበር |
| የተጋላጭነት መቆጣጠሪያ | Pulse Sync In (Edge or Level) / Pulse Sync Out (ጠርዝ ወይም ደረጃ) |
| የሥራ ሁኔታ | የሶፍትዌር ሁነታ / HVG ማመሳሰል ሁነታ / FPD ማመሳሰል ሁነታ |
| የፍሬም ፍጥነት | 29fps (1x1) |
| የአሰራር ሂደት | ዊንዶውስ 7 / ዊንዶውስ 10 ኦኤስ 32 ቢት ወይም 64 ቢት |
| የቴክኒክ አፈጻጸም | |
| ጥራት | 10.0 ሊፒ / ሚሜ |
| የኃይል ክልል | 40 ~ 160 ኪ.ቮ |
| መዘግየት | 0.01% 1 ኛ ፍሬም |
| ተለዋዋጭ ክልል | ≥ 73 ዲቢቢ |
| ስሜታዊነት | 100 lb/uGy |
| ኤስኤንአር | 48 ዲባቢ @ (20000lsb) |
| ኤምቲኤፍ | 90% @(1 lp/ሚሜ) |
| 82% @(2 lp/ሚሜ) | |
| 74% @(3 lp/ሚሜ) | |
| DQE (2uGy) | 65% @(0 lp/ሚሜ) |
| 48% @(1 lp/ሚሜ) | |
| 37% @(2 lp/ሚሜ) | |
| መካኒካል | |
| ልኬት(H x W x D) | 171 x 171 x 37 ሚ.ሜ |
| ክብደት | 3.2 ኪ.ግ |
| የዳሳሽ መከላከያ ቁሳቁስ | የካርቦን ፋይበር |
| የቤቶች ቁሳቁስ | የአሉሚኒየም ቅይጥ |
| አካባቢ | |
| የሙቀት ክልል | 10 ~ 35 ° ℃ (ኦፕሬቲንግ);-10 ~ 50℃(ማከማቻ) |
| እርጥበት | 30 ~ 70% RH (የማይጨማደድ) |
| ንዝረት | IEC/EN 60721-3 ክፍል 2M3(10~150 Hz፣0.5 ግ) |
| ድንጋጤ | IEC/EN 60721-3 ክፍል 2M3(11 ሚሴ፣2 ግ) |
| አቧራ እና የውሃ መቋቋም | IPX0 |
| ኃይል | |
| አቅርቦት | 100 ~ 240 ቪኤሲ |
| ድግግሞሽ | 50/60 Hz |
| ፍጆታ | 8 ዋ |
| ተቆጣጣሪ | |
| ሲኤፍዲኤ (ቻይና) | |
| ኤፍዲኤ (አሜሪካ) | |
| CE (አውሮፓ) | |
| መተግበሪያ | |
| ሕክምና | የጥርስ CBCT |
| ሜካኒካል ልኬት | |
መልእክትህን እዚህ ጻፍ እና ላኩልን።
